產(chǎn)品型號：STGP-80-12
爐膛尺寸：Φ80x1200mm
額定溫度：1200℃
控溫精度：±1℃
應用領域：PECVD系統(tǒng)（等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積。
